黎明还在卖关子。
“那就是10纳米！”潘宇肯定道，“5纳米都已经是极限了！”
目前芯片制造使用的FINFET的FIN宽度在5纳米时会达到工艺极限，也就说几乎不可能再提升了。
“错，是3纳米工艺！”喻黎明说道。
“怎么可能是3纳米？这不科学！”潘宇表示难以相信。
“3纳米？我记得高通卖给我们的芯片都才是7纳米工艺，这……我们才研发了多久？”甘华荣也表示不信，其他几人都是同样的想法。
“还是让王老师跟你们讲吧。”喻黎明把舞台交给了王远航。
王远航讲解道：“所谓的5纳米工艺极限，是使用传统的FINFET制造工艺时遇到的工艺极限。但如果我们将MOS管沟道的材料从硅/锗硅改为载流子速率更快的锗，就有办法制造出3NM工艺的芯片。”
“除此之外，我们还能用GAA纳米片FET在FINFET上进行革新的办法。将原来沟道有源区的三个方向包裹变成四个，增强对沟道电流的控制力。或者使用GAA纳米线FET设计……”
高媛俏脸上一脸迷茫：“？？？”
她完全没有听懂王远航在讲什么，和她一样，乔简，甘华荣也是一脸懵，潘宇虽然听懂了一点，但具体分析还是不太明白。
他们只听懂了最关键的一点，使用了最新工艺后，深空半导体成功的突破了7NM和5NM工艺，制造出了3NM工艺的智能芯片！
这不仅是打破了国外厂商的技术封锁，更是创造了一个全新的记录！这将是一个震惊世界的研究成果！