这其中，赤崎勇和天野浩获奖原因是第一次获得了高质量的氮化镓晶体，而中村修二的成果则是将氮化镓的性能和成本降低到了可以接受的程度。
如今赤崎勇和天野浩虽然已经在实验室里实现了高质量氮化镓的获得，但中村修二改进氮化镓生长性能的技术，却要到1992年才开发出来。
中村修二改进氮化镓的生长技术，关键在于两点。其一是采用两段法生长氮化镓，用550度生长的低温氮化镓层，代替了氮化铝晶体层作为缓冲层，解决了晶格失配的问题。其二则是在生成氮化镓的化学沉积过程中，在主气流的垂直方向吹入氮气和氢气的保护气体，也就是后来大名鼎鼎的双气流MOCVD技术。
凭着这两点改进，中村修二将蓝光LED从科学玩具彻底变成了改变人类生活的伟大发明。
LED氮化镓外延片的制造，难点便是双气流MOCVD的开发。但是多亏了如今的中美蜜月期，打死美国人都不卖的CVD设备，在胡文海晶圆厂项目的掩护下，也可以堂而皇之的进入中国了。
LED照明芯片的低设计要求、低光刻工艺和取巧的解决思路，简直就是为新科晶圆厂量身定制的项目。
这本来是胡文海打算过几年，新科晶圆厂设备老化跟不上主流水平之后，为设备淘汰准备的去处。谁想到，白石的光电研究所竟然三下五除二的这么快就拿出了成果。这其中固然有美国应用材料公司出售的高品质CVD设备的原因，更多的则是胡文海低估了此时国内的技术研发能力。
氮化镓外延片的两个关键技术，两段法的难度在于材料选择的思路和温度控制。不过胡总直接把具体数据告诉了白石，当然是一试一个准。
另一个则是将CVD改造成双气流MOCVD的要求，这个技术或许难度高了一些，但说到底不过是工程改造的问题，而不是什么高难度的技术研发。
工业品的成熟设计拿不出来，实验室水平的还是能拿的出来的。就算有什么困难，在不要求工业批量生产的条件下，也大可来一番土法上马。
于是胡文海预计怎么也要两三年才能出结果的研究，竟然那边晶圆厂还没建好，这边就已经出了结果。
不过说到底这毕竟是好事，胡文海这点“太快”的烦恼，也就是甜蜜的负担了。
胡文海趴在实验室里仔细的将手上的氮化镓外延片检查了一遍，各项数据果然如同白石所说，可以说是对日本人的氮化镓外延片性能的全面碾压。
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