0年左右，基本的平面(2D) MOSFET结构一直保持不变，直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能。
胡正明在加州大学伯克利分校的实验室早在1995年就看到了这一点。
FinFET作为第一个 3D MOSFET，将扁平而宽的晶体管结构变为高而窄的晶体管结构。好处是在更小的占地面积内获得更好的性能，就像在拥挤的城市中多层建筑相对于单层建筑的优势一样。
FinFET也就是所谓的薄体（thin-body）MOSFET，这一概念继续指导新设备的开发。
它源于这样一种认识，即电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制。
FinFET牢记这种薄体概念。该器件的主体是垂直的硅鳍片，被氧化物绝缘体和栅极金属覆盖，在强栅极控制范围之外没有留下任何硅。FinFET将漏电流降低了几个数量级，并降低了晶体管工作电压。它还指出了进一步改进的路径：进一步降低厚度。
而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制，这一概念，正是MOSFET进行互连建模在实验室进行复现后发现的。
周新不可能告诉胡正明，这是你自己发现的。
不过由于周新对于胡正明最重要的论文，都做过精读，对于当时是如何思考，有自己的分析。
这些分析和二十年后的老胡交流过程中，也获得了对方的认可。