不仅如此，高ZT值热电材料的出现更会改变芯片架构，光-电-热一体化芯片成为可能，热电材料将废热直接转化为电能，供芯片内部传感器或边缘AI单元使用，实现能量闭环。
自冷却芯片普及，淘汰传统散热器，设备体积缩小至现有1/5。
从长期来看，这将直接导致量子芯片的发展，它缓解了量子比特退相干问题，超导量子芯片可在更高温度下运行，降低制冷成本90%，类脑芯片功耗降低至μW级，支持植入式医疗设备长期运行……
未来前景可谓是一片光明！
当然，展望未来时不免也要低头看看脚下的路。
现实是残酷的，根据肖教授提供的资料，目前他们能够做到的ZT值只有0.92，不要说划时代的突破，甚至都没有达到商用1.5的标准。
“好！”
杨驰欣慰的点头，他喜欢这样高效的交流，也很满意陈辉的态度，就算实力差一点，只要愿意努力，他都是欢迎的。
“那你应该知道，ZT值的计算公式是(SσT)/κ，高ZT值材料的制备主要有三种途径，要么通过增强电输运性能，通过能带工程，如能带收敛、多能谷效应提高S和σ，或者是解耦电声输运，通过微观结构调控实现电子与声子传输路径的分离，但是前面两种方法实现起来都太困难，即便能够得到高ZT值材料，工业化的成本也太高，难以得到普及。”
“目前我们使用的方式主要还是抑制热传导，通过纳米结构、缺陷工程或复合材料设计降低晶格热导率。”
杨驰边走边介绍，“这次我们想要你做的主要是通过我们的实验数据，建立多尺度模型量化纳米缺陷、位错对热导率的贡献，如果能够找到一种算法或者多目标优化的方法，来平衡S、σ、κ的竞争关系，那就更好了。”
说完他们已经来到了一处办公桌前，杨驰打开电脑，“这是目前我们实验采集到的27个样本的数据，你可以在这里研究，也可以拿U盘拷回去慢慢研究，但这些数据都是内部机密，还请不要外泄。”
“明白。”
陈辉点头，心神已经沉浸到了眼前的数据中。
“哎，又失败了。”
就在陈辉研究实验数据时，旁边传来一声叹息，“晶界散射模型明明预测热导率能降低30%……”
肖蒙摘下护目镜，看向旁边仪器采集数据计算出来的ZT值，0.91，甚至比他们之前实验的效果还要更差，这不
…。。